| Orientação - Aluno |
| Aluno | Nível | Área de Concentração | Data
Defesa | Título do trabalho | |
| 1 |
Anna Raquel Petri |
Mestrado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
20/03/2013 |
Medidas do primeiro coeficiente Townsend de ionização de Isobutano puro submetido a compos eletricos uniformes
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| 2 |
Danilo Cardenuto Ferreira |
Mestrado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
07/07/2009 |
Dosimetria de processos de irradiação gama com diodos comerciais de silício.
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| Resp. |
| 3 |
Fabio de Camargo |
Mestrado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
10/05/2005 |
Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de particulas alfa com diodos de Si.
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| Resp. |
| 4 |
Fábio de Camargo |
Doutorado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
31/08/2009 |
Desenvolvimento de dosímetros com diodos de Si resistentes à radiação para dosimetria de altas doses.
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| Resp. |
| 5 |
Iara Batista de Lima |
Mestrado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
15/03/2010 |
Medidas do coeficiente de multiplicação gasosa no isobutano puro.
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| 6 |
Kelly Cristina da Silva Pascoalino |
Mestrado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
07/04/2010 |
Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiação gama.
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| 7 |
Rodrigo Rodrigues de Magalhães |
Mestrado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
03/05/2000 |
Espectrometria de raios-X com diodos de Si.
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| Resp. |
| 8 |
Thais Cavalheri dos Santos |
Doutorado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
28/09/2012 |
Dosimetria de eletrons em processos de irradiaçao com diodos resistentes a danos de radiaçao
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| 9 |
Tulio Cearamicoli Vivaldini |
Mestrado |
Tecnologia Nuclear - Aplicações |
18/03/2010 |
Medidas de Velocidade de arrastamento de elétrons no isobutano puro.
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